|
|
| 您現(xiàn)在的位置： 深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司 > 產(chǎn)品展廳 >
回收原裝全志IC
|
|
| 發(fā)布時間：
2021/3/21 16:57:00 |
|
| |
| |
電 話： |
86-0181-24701558 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機(jī)： |
18124701558 |
| 郵 編： |
518000 |
| 地 址： |
福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路賽格科技工業(yè)園2棟10層1-6軸58 |
| 網(wǎng) 址： |
http://temokeji.cn.vooec.com |
|
|
| 公司名稱：深圳市遠(yuǎn)華信達(dá)科技有限公司 |
| 聯(lián) 系 人：李令 先生 采購 |
|
|
|
|
|
| |
回收原裝全志IC V-181-24-70-15-58 flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。
由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作多只需要4ms。
執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲解決方案時,必須權(quán)衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
可靠性
采用flash介質(zhì)時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說,Flash是非常合適的存儲方案�？梢詮膲勖�(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時,必須先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://s3643.cn/cpshow_222905162/
手機(jī)版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/product_222905162.html
產(chǎn)品名稱：回收原裝全志IC |
|
|
|
|
|
