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用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板
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| 發(fā)布時間：
2023/3/15 16:43:00 |
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電 話： |
86-0595-88162686 |
| 傳 真： |
86-0595-88162687 |
| 手 機： |
13808556883 |
| 郵 編： |
362200 |
| 地 址： |
福建省泉州市晉江市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)五里園區(qū)靈石路2號 |
| 網(wǎng) 址： |
http://hq0595.cn.vooec.com |
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| 公司名稱：福建華清電子材料科技有限公司 |
| 聯(lián) 系 人：楊大勝 先生 副總經(jīng)理 |
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用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板 詳細(xì)說明 |
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厚度:1.5-10mm，其他厚度提供圖紙可定制導(dǎo)熱系數(shù):170W/米·K介電常數(shù):8-9(兆赫)表面粗糙度:雙面 Ra < 0.6 μm材質(zhì):金屬化陶瓷基板品牌/廠家:其他材質(zhì)類型:氮化硅陶瓷產(chǎn)品名稱:用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板牌號:福建華清功能:高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝用途:隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝的關(guān)鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求，尤其是AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用外觀:金屬化產(chǎn)地:福建晉江密度:3.3 克/立方厘米硬度:400兆帕熔點:1900℃燒結(jié)溫度:1800℃適用溫度:1000℃-1800℃熱膨脹系數(shù):10-6 /℃介電強度:8MHz-10MHz抗彎性能:≥450MPa體積電阻率:20℃，Ω .cm相對介電常數(shù):1MHz規(guī)格尺寸:φ45mm等，其他尺寸提供圖紙可定制
氮化鋁優(yōu)良絕緣，高頻損耗小，耐熱，熱膨脹系數(shù)小，機械強度大，熱傳導(dǎo)好，耐化學(xué)腐蝕，穩(wěn)定，熱導(dǎo)率高，光傳輸特性好，電性能優(yōu)良，機械性能好，尺寸大小及厚度可根據(jù)顧客要求定制。公司已經(jīng)擁有一整套從日本、美國等國進(jìn)口的、配備完善的電子陶瓷生產(chǎn)設(shè)備和檢測儀器，是一家規(guī)�；�、采用流延法生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基板的企業(yè)，主導(dǎo)產(chǎn)品是氮化鋁陶瓷基板及其相關(guān)電子元器件。與國外同行企業(yè)相比較，在氮化鋁陶瓷基板流延漿料配制、低溫?zé)Y(jié)等方面，公司自有的氮化鋁陶瓷流延法生產(chǎn)技術(shù)與工藝，所生產(chǎn)的氮化鋁陶瓷基板具有高的熱導(dǎo)率、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、優(yōu)良的力學(xué)性能，可廣泛應(yīng)用于電子信息、電力電子等高技術(shù)領(lǐng)域。開發(fā)了一種將氮化鋁 (AlN) 直接晶圓鍵合到鍍有 AlN 的晶圓的方法。晶圓直接鍵合需要光滑、平坦、親水的表面，這些表面能夠被適當(dāng)帶電的氫分子表面處理。華清可以提供非常光滑（Ra≤0.03um）和平坦表面的AlN襯底。我們的氮化鋁基板 (AlN) 有各種尺寸和厚度可供選擇�；钚越饘兮F焊（AMB）工藝是直接鍵合銅（DBC）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。它是利用釬料中所含的少量活性元素與陶瓷反應(yīng)生成可被液體釬料潤濕的反應(yīng)層，從而將陶瓷與金屬連接起來的一種方法。目前，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，高鐵大功率器件控制模塊對IGBT模塊封裝的關(guān)鍵材料——陶瓷覆銅板形成了巨大的需求，尤其是AMB基板逐漸成為主流應(yīng)用。得益于大量的實時庫存，我們可以快速運送您的零件，以便您開始您的項目。請聯(lián)系我們定制。我們還可以提供導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 230W/mK 的氮化鋁 (AlN) 陶瓷。
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://s3643.cn/cpshow_224450012/
手機版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/product_224450012.html
產(chǎn)品名稱：用于IGBT模塊的活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板 |
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